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储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT
2024-06-10 12:51  浏览:2
 为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT!
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS,实现超高的储能变流器PCS平均效率,更小的储能变流器PCS体积重量!更低的储能变流器PCS成本!更高的储能变流器PCS功率密度!
 
随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点,使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!倾佳电子(Changer Tech)专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET!
 
倾佳电子(Changer Tech)致力于基本公司国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET单管适用于各类储能变流器PCS,比如电站集中式储能变流器PCS,工商业模块化储能变流器PCS,户用储能PCS等。
 
储能变流器PCS是连接储能电池系统和电网的双向电流可控转换装置,决定了新型储能系统的效率和安全,影响着新型储能系统的使用寿命。储能变流器的核心作用叠加新型储能电站装机规模攀升,使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS享受市场快速扩张红利。目前市场竞争非常激烈,使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS竞争优势较明显。
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET储能PCS替代IGBT模块方案。SiC以耐高压、耐高温、体积小、响应速度快等优势,规避了IGBT技术壁垒、产能受限的问题.
储能变流器技术发展集中在软件和硬件两大领域。构网型变流器的控制模式(算法)快速迭代。其主要应用在新能源配套和独立储能电站等场景,因为它可以稳定整个电网、改善系统稳定性,所以该技术在以上两个主要应用场景渗透比例高。国内主要构网型变流器厂商在该项技术上取得了一定突破。
构网型iC碳化硅MOSFET储能PCS硬件与构网型变流器控制模式紧密相关,iC碳化硅MOSFET储能PCS须具备较强的支撑能力,实现瞬间输出较大有功、无功电流,发挥较强的支撑作用,且有较快的响应速度。
 
IGBT芯片技术不断发展,但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗,从而提高开关频率。进一步的,可以优化滤波器组件,相应的损耗会下降,从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块,与同样封装的Si IGBT模块相比,功率损耗可以降低约70%左右,可以将开关频率提5倍(实现显著的滤波器优化),同时保持最高结温低于最大规定值。
 
为了保持电力电子系统竞争优势,同时也为了使最终用户获得经济效益,一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈,加上SiC MOSFET绝对成本持续下降,使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
 
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